英特尔推出采用65纳米工艺的1Gb NOR闪存样片

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英特尔(Intel)日前于台北举行的2006年春季英特尔亚太科技论坛(IDF)活动中，宣布推出采用65纳米(nm)工艺技术的1Gb多层单元(Multi-Level Cell，MLC)NOR闪存(Flash)芯片样片。未来该公司的手机OEM客户，将能透过共通的闪存架构，简化从90纳米转移至65纳米工艺技术的流程。

英特尔的NOR闪存芯片被应用在包括手机在内的装置，用以管理手机作业、处理个人信息管理(Personal Information Management)的数据，以及储存相片/音乐/影片等数字内容。而65纳米工艺新组件将于第二季稍后开始向客户提供样本。

而英特尔也同时宣布与台湾地区签署合作备忘录(Memorandum of Understanding)，双方将共同推动产学合作研究计划，提升大专院校创新研究能力，并开发符合企业需求的先进技术。

双方合作将分两阶段进行，第一阶段英特尔将从所补助的合作研究计划(Joint Research Project)中，遴选出具前瞻性及产业发展优势的计划，协助台湾地区业者组成产学合作团队，申请产学合作研究计划，并举行研发成果论坛或研讨会。第二阶段则将针对英特尔遴选及协助组成的产学合作计划进行审查；经审查通过者依规定补助研究经费，并由英特尔提供所需的技术支持。