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东芝发布最大容量为32GB的嵌入式NAND闪存模块

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关键字: e-MMC  eSD  NAND闪存 

东芝日前宣布推出多款最大容量为32GB的嵌入式NAND闪存模块,并宣布这些产品完全符合e-MMC和eSD标准。这些嵌入式产品用于移动数码消费产品,包括手机和数码相机。样品将于2008年9月出厂,从第四季度开始量产。

该款32GB嵌入式新产品采用东芝先进的43nm制程技术,收纳了8枚32Gbit(=4GB)的NAND芯片和一个专用控制器。新产品完全符合JEDEC/MMCA Ver 4.3和SDA Ver 2.0标准以及MultiMediaCard Association(多媒体卡协会)和SD Card Association(SD卡协会)专为记忆卡定义的高速存储器标准,支持标准接口连接和简化嵌入,从而减小产品制造商的开发负担。

东芝提供一系列单封装嵌入式NAND闪存,这些闪存产品都包括一个控制器,可用于管理NAND应用的基本控制功能:配备一个NAND接口的LBA-NAND*6存储器;带有SD接口的eSD大容量芯片;以及配备一个HS-MMC接口的e-MMC。这个综合产品系列的容量从1GB到32GB不等,支持在各种产品中的应用。

随着带有降低开发要求、便于系统设计集成的控制器功能的存储器需求不断扩大,东芝已经采取行动,在这个不断扩大的市场上占领领先地位,同时加入更大容量的模块,这将有助于巩固公司的地位。

新产品的主要特征

1.内置以JEDEC/MMCA Ver 4.3和SDA Ver 2.0规定为标准的控制器,包括用于处理写入块管理、错误修正(ECC)和驱动器软件等基本功能。这个控制器使系统开发得到简化,从而使制造商可将开发成本降到最低,同时善用时间为新产品和升级产品开拓市场。

2.拥有从1GB到32GB的多种产品。最大容量的32GB嵌入式产品以128Kbps的位速率可以记录大约560小时的音乐数据,4小时的全高清视频以及7.3小时的标清视频数据。

3.采用先进的43nm制程技术,在32GB产品中堆栈8层32Gbit(=4GB)的芯片。



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