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推动这类需求迅速增长的原因,要归功于此类存储器所具有的引脚数量少、板面积小、功率低和系统成本低等多方面优势。采用8引脚标准SO封装、标准串行外围接口(SPI)的串行闪存比典型的32引脚封装或更大的PLCC封装并行闪存节省了约80%的板空间。
同样重要的是,串行闪存大大降低了系统的设计复杂性。在MCU或ASIC之间,典型的32Mb并行闪存需包含21条地址线、16条数据线和3条控制线,而32Mb串行闪存只使用2条数据线和2条控制线。引脚数量较多的控制器要求使用较多的电路板布线层,控制器占用系统存储器的引脚越多,可用来提供支持新特性所需要的处理能力和存储器带宽的引脚就越少。
为了满足不断增长的需求,Atmel、旺宏电子、Numonyx、Silicon Storage Technology (SST)、Spansion和华邦电子等串行闪存供应商已在提供更高密度的器件。Spansion公司去年发布了一款使用其90纳米MirrorBit技术制造的128Mb SPI闪存芯片。但分析师表示,串行闪存想要切实进入新的应用系统,还将有赖于带有多位接口的器件的出现。
串行闪存最初大多用在XiP(本地代码执行)应用。为了直接从存储器中执行这些程序,设计者使用可按单个字寻址的NOR闪存。但传统的单个比特SPI接口的性能限制,迫使设计者在许多应用中结合使用基于SPI的串行闪存与影子RAM(通常是SRAM),以便支持更高的访问速度。

图1:引脚数量少、占位小、功率低且系统成本低等优点推动了业界对串行闪存的需求。
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