|
|
| ??20-06-11 |
中芯国际、赛凡合作生产8GB闪存,采用SUNFUN嵌入式NROM技术 |
| |
中芯国际集成电路制造有限公司和非挥发性内存(NVM)技术提供商商赛凡半导体(SAIFUN)日前共同宣布,双方将合作生产8GB数据闪存。这一基于SUNFUN嵌入式NROM技术的产品,将有望于2008年进入市场。 |
| 2009-06-24 |
闪存价格上涨,SSD上网本与笔记本电脑面临困境 |
| |
今年前两个季度 NAND 闪存的平均销售价格(ASP)反弹,令供应商非常高兴,使其在2008年经受惨重损失之后又获得了希望。 |
| 2009-03-17 |
美光发布行业密度最高的块抽象化NAND闪存产品系列 |
| |
美光科技股份有限公司日前公布其高密度系列的块抽象化(BA) NAND闪存,可用于个人媒体播放机和其他应用中。BA NAND是个单封装解决方案,使用美光业内领先的34纳米工艺技术 - 将MLC NAND与一个内存控制器相结合,无需对控制器/系统进行费力的重设计即可采用后续世代的NAND。 |
| 2009-02-26 |
恒忆推出首款45nm MLC NOR闪存 |
| |
恒忆(Numonyx)发表业界首款采用45奈米制程技术的MLC NOR闪存样本,可为客户提供高度的产品升级弹性和可靠度。新产品领先上一代 65 奈米产品,号称是目前市场最先进的 NOR 闪存。 |
| 2009-02-02 |
Spansion公司挂牌待售,寻找战略方案 |
| |
NOR闪存领导者Spansion公司或多或少将自己挂牌出售。该公司证实了一直在寻找战略方案,“包括但不限于合并或者出售给美国或者外国企业。”Spansion曾向巴克莱资本公司需求帮助来解决该公司的战略选择问题。 |
| 2009-01-21 |
研究人员打造石墨烯存储器,密度比闪存存储更高 |
| |
Rice大学研究人员正在着手研究一类存储单元密度至少为闪存两倍的石墨烯片状存储器。石墨烯(Graphene)是由没有卷成纳米管的纯炭原子薄膜构成,在此之前石墨烯已被用于IBM的超快速晶体管原型产品及其它领域。 |
| 2008-12-23 |
恒忆发布新系列NAND闪存,用于高密度eMMC和microSD解决方案 |
| |
恒忆公司(Numonyx)针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb(gigabits)的多级单元 (MLC) NAND闪存、32GB(gigabytes)的eMMC存储芯片和高达8 GB的 microSD产品,全部采用先进的41nm制造工艺。 |
| 2008-12-11 |
美光新推NAND闪存技术,适用于嵌入式应用 |
| |
美光科技有限公司日前推出了一项串行NAND闪存技术,使嵌入式应用产品能够灵活方便地升级存储容量。美光串行NAND闪存的最低芯片密度为1Gb,这样一来,客户就能够轻松地在串行NOR闪存现有存储能力之外,以高性价比扩展存储容量。 |
| 2008-11-10 |
奥地利微电子发布新款媒体播放器IC AS3536,采用创新IP |
| |
奥地利微电子(Austriamicrosystems)日前推出采用创新IP的新媒体播放器IC AS3536,AS3536是一个创新的多媒体播放器系统,其核心基于新开发的带有后处理器的音视频引擎,作为具有400MHz能力的ARM CPU的协处理器。该IC还包括系统级电源管理、高质量音频编解码器和电池充电功能。系统级功耗包含功率转换损失,可存取NAND闪存、DRAM存储器,用运行的应用软件把播放的音频输入到耳机。 |
| 2008-11-04 |
为下一代MirrorBit Eclipse打基础,Spansion扩增300mm/65nm NOR生产 |
| |
Spansion的300mm SP1晶圆厂正在量产其首款针对消费及工业应用的65nm 3V MirrorBit NOR闪存,而此举是为了该公司下一代MirrorBit Eclipse的推出打下基础。 |
| 2008-11-03 |
东芝43nm SLC NAND闪存出炉,满足嵌入式应用需求 |
| |
东芝日前宣布推出43nm单层存储单元(SLC)的NAND闪存,产品容量从512Mb到6?Gb,共有16种系列。新产品包括16Gb、32Gb和6?Gb三种,结合采用43nm制程技术的单16Gb芯片,这是市场上最高密度的芯片。新产品将从2009年第1季度开始逐步进入市场。 |
| 2008-10-13 |
拆解夏普922SH手机,感受先进多芯片封装技术 |
| |
本文对夏普922SH手机进行了深入剖析。其中ST公司的M39PNRA2A采用了令人印象深刻的多芯片封装形式,在单个封装中集成了两个Elpida的SDRAM裸片、两个ST的NOR闪存裸片和一个海力士的SLC NAND闪存。从整个手机的技术可以看出,日本设计师依然是前沿技术的领导者。但是也不能忽视北美和欧洲的设计师们,特别是像苹果和诺基亚这样的公司在iPhone和N95上所展现出来的创新成果。 |
| 2008-10-10 |
多位接口提升串行闪存的性能 |
| |
采用串行闪存替代并行NOR闪存作为代码执行装置,这种方案日益受到数字电视、DVD、PC、调制解调器、打印机及移动消费电子设备设计者的青睐,使得市场对串行闪存的需求继续飙升。推动这类需求迅速增长的原因,要归功于此类存储器所具有的引脚数量少、板面积小、功率低和系统成本低等多方面优势。 |
| 2008-10-06 |
东芝发表256GB SSD,配备MLC控制器 |
| |
东芝日前宣布加入具有行业领先的256GB的SSD,并推出一系列专用于上网本(netbook)、超便携移动个人电脑(UMPC)及其它便携设备和外围应用设备的小型闪存模块,以此增强其基于NAND闪存的固态驱动器(SSD)。新驱动器将于9月30日至10月4日期间在日本千叶县召开的日本电子高新科技博览会(CEATEC)上展出。 |
| 2008-09-30 |
Spansion公布最高性能NAND闪存生产计划,基于业界最小NAND裸片尺寸 |
| |
纯闪存解决方案供应商Spansion日前公布了即将推出的MirrorBit ORNAND2产品系列的生产计划,该系列产品的写入速度可提高25%,读取速度最高可提升一倍,其裸片尺寸也比目前的浮动门NAND闪存显著减小。 |
|
|